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SI7104DN-T1-GE3

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • SI7104DN-T1-GE3
    SI7104DN-T1-GE3

    SI7104DN-T1-GE3

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 10000

  • VISHAY

  • 原廠原封裝

  • 2015+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • SI7104DN-T1-GE3
    SI7104DN-T1-GE3

    SI7104DN-T1-GE3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 2395

  • VISHAY

  • QFN-8

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • SI7104DN-T1-GE3
    SI7104DN-T1-GE3

    SI7104DN-T1-GE3

  • 深圳市華雄半導體(集團)有限公司
    深圳市華雄半導體(集團)有限公司

    聯系人:苗鳳軍

    電話:17623594308

    地址:深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層

    資質:營業執照

  • 3291

  • VISHAY

  • QFN-8

  • 2219+

  • -
  • 十年專營,供應原裝正品!熱賣現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
SI7104DN-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 12V 35A 52W 3.7mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI7104DN-T1-GE3 技術參數
配單專家

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