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SIE806DF-T1-E3

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：曹先生/高先生/周小姐

    電話：134878658521852080514813760272017

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 25237

  • Vishay Siliconix

  • 10-PolarPAK廬 (L)

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • VISHAY

  • REEL

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • SIE806DF-T1-E3
    SIE806DF-T1-E3

    SIE806DF-T1-E3

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部

    聯系人：朱小姐

    電話：13428937514

    地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813

    資質：營業執照

  • 36000

  • VISHAY

  • 10-PolarPAK

  • 15+

  • -

  • 進口原裝!現貨供應,可開增值稅發票

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
SIE806DF-T1-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 30V 60A 125W 1.7mohm @ 10V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIE806DF-T1-E3 技術參數
  • SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 技術:磁耦合 通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線 供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件 零件狀態:在售 技術:磁耦合 通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線 供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SIE818DF-T1-E3 SIE818DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-E3 SIE820DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-E3 SIE822DF-T1-GE3 SIE830DF-T1-E3 SIE830DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-E3 SIE832DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-E3 SIE836DF-T1-GE3 SIE844DF-T1-E3 SIE844DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-E3 SIE848DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-E3 SIE854DF-T1-GE3
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