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SIR882DP-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SIR882DP-T1-GE3
    SIR882DP-T1-GE3

    SIR882DP-T1-GE3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨 電話010-62104...

  • SIR882DP-T1-GE3
    SIR882DP-T1-GE3

    SIR882DP-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 990

  • VISHAY SI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • SIR882DP-T1-GE3
    SIR882DP-T1-GE3

    SIR882DP-T1-GE3

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • SILICONIX (VISHAY)

  • 價格優(yōu)勢

  • 2437

  • -
  • 全新原裝渠道現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
SIR882DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIR882DP-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 時的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIRA06DP-T1-GE3 SIRA10DP-T1-GE3 SIRA12DP-T1-GE3 SIRA14DP-T1-GE3 SIRA16DP-T1-GE3 SIRA18ADP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-GE3 SIRA18DP-T1-RE3 SIRA20DP-T1-RE3 SIRA22DP-T1-RE3 SIRA24DP-T1-GE3 SIRA26DP-T1-RE3 SIRA32DP-T1-RE3 SIRA34DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 SIRA50DP-T1-RE3 SIRA52DP-T1-GE3 SIRA52DP-T1-RE3
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