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STB26NM60ND

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 885000

  • YXYBDT臺灣

  • D2PAKTO-2

  • 2025+

  • -
  • 代理臺灣YXYBDT.現貨

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 8000

  • ST/意法半導體

  • SOT-263

  • 22+

  • -
  • 終端免費提供樣品 可開13%增值稅發票

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 2802

  • STMicroelectronics

  • TO-263-3, D虜Pak (2 L

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市寶芯創電子有限公司
    深圳市寶芯創電子有限公司

    聯系人:陳先生

    電話:0755-83228629

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人,可開正規13%專

    資質:營業執照

  • 59990

  • ST/意法半導體

  • SOT-263

  • 17+

  • -
  • 100%原裝,誠信為本,等你咨詢!

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • STMICROEL

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • STB26NM60ND
    STB26NM60ND

    STB26NM60ND

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 3526

  • ST

  • D2PAK

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存,400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共24條 
  • 1
STB26NM60ND PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Tape and Reel
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600 V, 0.144 OHM TYP., 21 A FDMESH(TM) II POWER MO - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • 600V, 0.144OHM, 21A, POWERFET W/ FAST DIODE, N-CHANNEL, D2PAK
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • Single N-Channel 600 V 0.175 Ohm 190 W Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
STB26NM60ND 技術參數
  • STB26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB26N60M2 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1360pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):169W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 10A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 STB25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB25NM60N-1 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 10.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR STB30200CTR STB3060CTR STB30N65M5 STB30N80K5 STB30NF10T4 STB30NF20 STB30NF20L STB30NM50N STB30NM60N STB30NM60ND STB31N65M5 STB32N65M5 STB32NM50N STB33N60DM2 STB33N60M2
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