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STD2NB52

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  • STD2NB52
    STD2NB52

    STD2NB52

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐/歐陽(yáng)先生

    電話：0755-832450508278593918923762408微信同號(hào)

    地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8887

  • ST

  • TO-251

  • 20+

  • -

  • 現(xiàn)貨庫(kù)存.特價(jià)供應(yīng)

  • STD2NB52
    STD2NB52

    STD2NB52

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STD2NB52
    STD2NB52

    STD2NB52

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • ST

  • TO-251

  • 00+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共12條 
  • 1
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STD2NB52 技術(shù)參數(shù)
  • STD2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:95pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 歐姆 @ 1.1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:340pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 750mA， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD2LN60K3 功能描述:MOSFET N CH 600V 2A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:4.5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:235pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STD30N6LF6AG STD30NE06L STD30NE06LT4 STD30NF03LT4 STD30NF04LT STD30NF06 STD30NF06LT4 STD30NF06T4 STD30PF03L-1 STD30PF03LT4 STD3155L104T4G STD32 STD35N3LH5 STD35NF06LT4 STD35NF06T4 STD35NF3LLT4 STD35P6LLF6 STD36NH02L
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