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STD30NE06L-T4

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STD30NE06L-T4
優(yōu)勢
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
23480
ST
TO-252
全新環(huán)保批次
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STD30NE06L-T4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-252
最新批號
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STD30NE06L-T4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STD30NE06L-T4 技術參數(shù)

STD30N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD2NK90ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD2NK90Z-1 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:75 STD2NK70ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:700V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 800mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:280pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD35N3LH5 STD35NF06LT4 STD35NF06T4 STD35NF3LLT4 STD35P6LLF6 STD36NH02L STD36P4LLF6 STD37P3H6AG STD38NH02L-1 STD38NH02LT4 STD3LN62K3 STD3LN80K5 STD3N40K3 STD3N62K3 STD3N80K5 STD3NK100Z STD3NK50Z-1 STD3NK50ZT4