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STD361

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STD361
    STD361

    STD361

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOT89-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • STD361
    STD361

    STD361

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • KODENSHIA

  • SOT-89

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • STD361
    STD361

    STD361

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 66880

  • AUK

  • SOT-89

  • 22+

  • -
  • 授權代理直銷,原廠原裝現貨,假一罰十,特...

  • STD361
    STD361

    STD361

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • STM

  • SOT-252

  • 08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
STD361 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • AUK
  • 制造商全稱
  • AUK corp
  • 功能描述
  • NPN Silicon Transistor
STD361 技術參數
  • STD35P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3780pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD35NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19.5 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD35NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD35NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1700pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD35N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):725pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD3N80K5 STD3NK100Z STD3NK50Z-1 STD3NK50ZT4 STD3NK60Z-1 STD3NK60ZD STD3NK60ZT4 STD3NK80Z-1 STD3NK80ZT4 STD3NK90ZT4 STD3NM50T4 STD3NM60-1 STD3NM60N STD3NM60T4 STD3PK50Z STD40N2LH5 STD40NF03LT4 STD40NF10
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