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STD65N55T4

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STD65N55T4
優勢
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
23480
ST
TO-252(DPAK)
全新環保批次
-

STD65N55T4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-252(DPAK)
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STD65N55T4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
54750
ST
TO-252
12+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共18條
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您是不是要找： STD65NF06 STD6N52K3 STD6N60M2 STD6N62K3 STD6N65M2 STD6N80K5 STD6N90K5 STD6N95K5 STD6NF10T4

STD65N55T4 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STD65N55T4 技術參數

STD65N55LF3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD65N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD65N3LLH5 功能描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:65A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.9 毫歐 @ 32.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1290pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD64N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 54A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:54A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.2 毫歐 @ 27A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:44nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2415pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD60NH03L-1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:3,000 STD6NK50ZT4 STD6NM60N STD6NM60N-1 STD70N02L STD70N02L-1 STD70N03L STD70N03L-1 STD70N10F4 STD70N2LH5 STD70N6F3 STD70NH02LT4 STD70NS04ZL STD724T4 STD75N3LLH6 STD78N75F4 STD790AT4 STD7ANM60N STD7LN80K5