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STD85N10F7AG

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STD85N10F7AG
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
DPAK/TO-252
25+
-
國產品牌，替代進口

STD85N10F7AG
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-252
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STD85N10F7AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STD85N10F7AG
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
1500
XILINX
BGA
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

STD85N10F7AG
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
DPAK
18+
-
MOSFET N-CH 100V 70A...

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STD85N10F7AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STD85N10F7AG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
70A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
10 毫歐 @ 40A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
45nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
3100pF @ 50V
功率 - 最大值
85W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
標準包裝
1

STD85N10F7AG 技術參數

STD845DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 1A，4A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 2A，5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD840DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 400mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A，5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD830CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:18 @ 700mA，5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD826T4 功能描述:TRANS PNP 30V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 150mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD815CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN，PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 50mA，350mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:16 @ 350mA，5V 功率 - 最大值:2.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD8NM60N STD8NM60N-1 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3 STD95NH02LT4 STD96N3LLH6