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STF25A6

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批號
價格
說明
操作

STF25A60
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
原廠封裝
09/10+
-

STF25A60
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NULL
原廠封裝
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

STF25A60
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
SEMIWELL
TO-220
23+
-
全新原裝正品現貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： STF25N10F7 STF25N60M2-EP STF25N80K5 STF25NM50N STF25NM60N STF25NM60ND STF26N60M2 STF26NM60N STF26NM60ND

STF25A6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STF25A6 技術參數

STF24NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF24NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF24N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 16A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF24N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1060pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STF24N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1055pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220 整包標準包裝:50 STF26NM60N-H STF27N60M2-EP STF28N60DM2 STF28N60M2 STF28N65M2 STF28NM50N STF28NM60ND STF2HNK60Z STF2LN60K3 STF2N62K3 STF2N80K5 STF2N95K5 STF2NK60Z STF30100C STF30120C STF30120CR STF30150C STF30150CR