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STFI9N60M2

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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • STFI9N60M2
    STFI9N60M2

    STFI9N60M2

    現貨
  • 上海航霆電子技術有限公司
    上海航霆電子技術有限公司

    聯系人:林生18701789587

    電話:0755-8374259418701789587

    地址:上海徐匯區漕溪路222號航天大廈16層

  • 1450

  • STM

  • SOP

  • 19+

  • -
  • 全新原廠原裝正品,只做原裝,可開增票

  • STFI9N60M2
    STFI9N60M2

    STFI9N60M2

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室

    資質:營業執照

  • 50

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成電路(IC)

  • STFI9N60M2
    STFI9N60M2

    STFI9N60M2

  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 50

  • STMICROELECTRONICS

  • con

  • 24+

  • -
  • 集成電路(IC)

  • STFI9N60M2
    STFI9N60M2

    STFI9N60M2

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • I2PAKFP(TO-281)

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 600V 5.5...

  • STFI9N60M2
    STFI9N60M2

    STFI9N60M2

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人:丁皓鵬

    電話:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質:營業執照

  • 1450

  • STM

  • I2PAKFP (TO-281-3)

  • 19+

  • -
  • 原裝現貨,假一賠百,支持實單

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STFI9N60M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STFI9N60M2 技術參數
  • STFI8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):950 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):450pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標準包裝:50 STFI7N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):360pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標準包裝:50 STFI7LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.15 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標準包裝:50 STFI6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):270pF @ 100V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標準包裝:50 STFI6N65K3 功能描述:MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.3 歐姆 @ 2.7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):880pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP(TO-281) 標準包裝:50 STFU13N65M2 STFU13N80K5 STFU15N80K5 STFU15NM65N STFU18N60M2 STFU18N65M2 STFU24N60M2 STFU28N65M2 STFU6N65 STFV3N150 STFV4N150 STFW12N120K5 STFW1N105K3 STFW20N65M5 STFW24N60M2 STFW2N105K5 STFW38N65M5 STFW3N150
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