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STGB20M65DF2

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STGB20M65DF2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
13740
ST
D2PAK
24+
-
全新原裝正品現貨特價

STGB20M65DF2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

STGB20M65DF2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STGB20M65DF2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STGB20M65DF2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STGB20M65DF2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGB20M65DF2
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
355696
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGB20M65DF2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6000
ST/意法半導體
D2PAK-3
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STGB20M65DF2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STGB20M65DF2IC
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
20000
ST/意法
TO-263
24+
-
優勢供應品質保障可開13點發票

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STGB20M65DF2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STGB20M65DF2 技術參數

STGB20H60DF 功能描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:167W 開關能量:209μJ（開），261μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:115nC 25°C 時 Td（開/關）值:42.5ns/177ns 測試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:90ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60WT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):- 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關能量:81μJ（開），125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/90ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60KT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關能量:165μJ（開），255μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60KDT4 功能描述:IGBT 600V 35A 125W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):75A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.75V @ 15V，12A 功率 - 最大值:125W 開關能量:165μJ（開），255μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:55nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/105ns 測試條件:480V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB19NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 40A 130W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):60A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，12A 功率 - 最大值:130W 開關能量:85μJ（開），189μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:53nC 25°C 時 Td（開/關）值:25ns/97ns 測試條件:390V，12A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:31ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB20V60F STGB25N40LZAG STGB30H60DF STGB30H60DFB STGB30H60DLFB STGB30M65DF2 STGB30NC60KT4 STGB30NC60WT4 STGB30V60DF STGB30V60F STGB35N35LZ-1 STGB35N35LZT4 STGB3HF60HD STGB3NB60FDT4 STGB3NB60KDT4 STGB3NB60SDT4 STGB3NC120HDT4 STGB40H65FB

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