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STGD4M65DF2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGD4M65DF2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STGD4M65DF2
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO-252
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STGD4M65DF2
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
DPAK/TO-252
25+
-
國產品牌，替代進口

STGD4M65DF2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGD4M65DF2
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STGD4M65DF2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STGD4M65DF2
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
355673
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STGD4M65DF2
深圳市銘昌源科技有限公司
深圳市銘昌源科技有限公司
聯系人：優質現貨代理商
電話：0755-82774613鄧先生（13480915249）微信同步0755-82774613鄧先生
地址：深圳市福田區振興路上步商務中心大廈205棟5A10
資質：營業執照
62061
STMicroelectronics
SMD
22+
-
優勢代理，公司現貨可開票

STGD4M65DF2
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
ST
TO-252
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

STGD4M65DF2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
DPAK
18+
-
IGBT Trench Field St...

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STGD4M65DF2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK
制造商
stmicroelectronics
系列
M
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650V
電流 - 集電極（Ic）（最大值）
8A
脈沖電流 - 集電極 (Icm)
16A
不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）
2.1V @ 15V，4A
功率 - 最大值
68W
開關能量
40μJ（開），136μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
15.2nC
25°C 時 Td（開/關）值
12ns/86ns
測試條件
400V，4A，47 歐姆，15V
反向恢復時間（trr）
133ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商器件封裝
DPAK
標準包裝
1

STGD4M65DF2 技術參數

STGD3NB60SDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 48W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):25A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:48W 開關能量:1.15mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:18nC 25°C 時 Td（開/關）值:125μs/- 測試條件:480V，3A，1 千歐，15V 反向恢復時間（trr）:1.7μs 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD3NB60FT4 功能描述:IGBT 600V 6A 60W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:60W 開關能量:125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:16nC 25°C 時 Td（開/關）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD3HF60HDT4 功能描述:IGBT 600V 7.5A 38W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:7.5A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):18A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.95V @ 15V，1.5A 功率 - 最大值:38W 開關能量:19μJ（開），12μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:12nC 25°C 時 Td（開/關）值:11ns/60ns 測試條件:400V，1.5A，100 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:85ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD25N40LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:435V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD20N45LZAG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):50A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.25V @ 4V，6A 功率 - 最大值:125W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:26nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/4.6μs 測試條件:300V，10A，1 千歐，5V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD7NB60KT4 STGD7NB60ST4 STGD7NC60HT4 STGD8NC60KDT4 STGD8NC60KT4 STGDL6NC60DIT4 STGDL6NC60DT4 STGE200N60K STGE200NB60S STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD