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STH290N4F6-2AG

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STH290N4F6-2AG
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
6007
ST/意法半導體
H2PAK-2
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發(fā)票

STH290N4F6-2AG
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STH290N4F6-2AG
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
H2Pak-2
18+
-
MOSFET N-CH 40V 180A...

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STH290N4F6-2AG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STH290N4F6-2AG PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.7 歐姆 @ 45A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
115nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
7380pF @ 25V
功率 - 最大值
300W
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝
H2Pak-2
標準包裝
1

STH290N4F6-2AG 技術參數

STH275N8F7-6AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK-6 標準包裝:1 STH275N8F7-2AG 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F7 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2Pak-2 標準包裝:1 STH270N8F7-6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH270N8F7-2 功能描述:MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH270N4F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH360N4F6-2 STH3N150-2 STH400N4F6-2 STH400N4F6-6 STH410N4F7-2AG STH410N4F7-6AG STH52N10LF3-2AG STH61B STH61G STH61W STH62B STH62G STH62W STH6N95K5-2 STH71B STH71G STH71W STH72B