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STI360N4F6

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說明
操作

STI360N4F6
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
I2PAK/TO-262
25+
-
國產品牌，替代進口

STI360N4F6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

STI360N4F6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
I2PAK
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STI360N4F6
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
72432
STMicroelectronics
TO-262-3 Long Leads,
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STI360N4F6
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STI360N4F6
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
I2PAK（TO-262）
18+
-
MOSFET N-CH 40V 120A...

STI360N4F6
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3750
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STI360N4F6
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
I2PAK（TO-262）
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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制造商
STMicroelectronics
功能描述
POWER MOSFET - Rail/Tube

STI360N4F6 技術參數

STI35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:98 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STI33N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:26A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:125 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1781pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STI32N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:119 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3320pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI6N80K5 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS

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