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STIDP880

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  • STIDP880-AC
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • STIDP880-AB
    STIDP880-AB

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 2500

  • ST

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 13+

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  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱(chēng)
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • iDP to LVDS converter
STIDP880 技術(shù)參數(shù)
  • STICE-SYS001 功能描述:STM8 STM8 In-Circuit Debugger, Emulator, Programmer 制造商:stmicroelectronics 系列:STM8 零件狀態(tài):過(guò)期 類(lèi)型:在線調(diào)試器,仿真器,編程器 配套使用產(chǎn)品/相關(guān)產(chǎn)品:STM8 內(nèi)容:主仿真板(MEB),目標(biāo)仿真板(TEB),纜線,電源和說(shuō)明文檔 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STI8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI76NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):110W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STIEC45-33ACS STIEC45-33AS STIFP218735N024KOR STIFP218740N024KOR STIFP218745N024KOR STIFP218750N024KOR STIK STIL02-P5 STIL04-P5 STIL04-T5 STIL06-T5/R STIL08-T5 STIMV0015G2A STIMV0030G2A STIMV0500G2A ST-IPM-6350 STIPN1M50-H STIPN1M50T-H
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