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STL45P3LLH6

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  • 封裝
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  • STL45P3LLH6
    STL45P3LLH6

    STL45P3LLH6

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • QFN

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STL45P3LLH6
    STL45P3LLH6

    STL45P3LLH6

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 6002

  • ST/意法半導體

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 21+

  • -
  • 原裝正品現貨 可開增值稅發票

  • STL45P3LLH6
    STL45P3LLH6

    STL45P3LLH6

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 44728

  • STMicroelectronics

  • PowerFLAT-5x6-8

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • STL45P3LLH6
    STL45P3LLH6

    STL45P3LLH6

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 86900

  • STMicroelectronics

  • PowerFlat?(5x6)

  • 18+

  • -
  • MOSFET NCH 30V 45A P...

  • STL45P3LLH6
    STL45P3LLH6

    STL45P3LLH6

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 50

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.5015 USD,szpoweric...

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
STL45P3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STL45P3LLH6 技術參數
  • STL45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Ta),22.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):86 毫歐 @ 14.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3470pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?(8x8) 標準包裝:1 STL42P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3780pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL42P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2850pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta),34A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):79 毫歐 @ 16.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4650pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標準包裝:1 STL40N75LF3 功能描述:MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL52N25M5 STL55NH3LL STL56N3LLH5 STL57N65M5 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01
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