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STL8P4LLF6

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL8P4LLF6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業(yè)執(zhí)照
6003
ST/意法半導體
PowerFLAT-3.3x3.3-8
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發(fā)票

STL8P4LLF6
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN33
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL8P4LLF6
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET P-CH 40V 8A P...

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您是不是要找： STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7 STL9P3LLH6

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STL8P4LLF6 PDF下載

功能描述
MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F6
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
-
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
20.5 毫歐 @ 4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
22nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
2850pF @ 25V
功率 - 最大值
2.9W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標準包裝
1

STL8P4LLF6 技術參數

STL8P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2390pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標準包裝:1 STL8NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL8N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:950 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL8N6LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:27 毫歐 @ 9.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1340pF @ 25V 功率 - 最大值:55W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Ta），7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:14-PowerVQFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080 STLC3080TR STLC30R80 STLC5046 STLC5048 STLC5048TR STLC60845 STLC7550TQF7 STLC7550TQF7TR STLD125N4F6AG STLD128DNT4 STLD200N4F6AG STLD20CP1PQR STLD20D-C8