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STP200N3LL

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP200N3LL
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-220
25+
-
國產品牌，替代進口

STP200N3LL
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6004
ST/意法半導體
TO-220-3
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STP200N3LL
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
TO-220
18+
-
N-CHANNEL 30 V, 2 MO...

STP200N3LL
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
800
ST MICROELECTRONICS
價格優勢
2411
-
全新原裝渠道現貨

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1

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STP200N3LL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP200N3LL PDF下載

功能描述
N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
制造商
stmicroelectronics
系列
-
包裝
管件
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET (Metal Oxide)
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
53nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
5200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
*
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商器件封裝
TO-220
標準包裝
2,000

STP200N3LL 技術參數

STP1N105K3 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1050V（1.05kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 600mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:180pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP19NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 7.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 STP19NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP19NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP19NB20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP20N95K5 STP20NE06L STP20NF06 STP20NF06L STP20NF20 STP20NK50Z STP20NM50 STP20NM50FD STP20NM50FP STP20NM60 STP20NM60A STP20NM60FD STP20NM60FP STP20NM65N STP210N75F6 STP21N65M5 STP21N90K5 STP21NM50N