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STP28N60DM2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STP28N60DM2
    STP28N60DM2

    STP28N60DM2

    現貨
  • 上海航霆電子技術有限公司
    上海航霆電子技術有限公司

    聯系人：林生18701789587

    電話：0755-8374259418701789587

    地址：上海徐匯區(qū)漕溪路222號航天大廈16層

  • 10000

  • STM

  • SOP

  • 20+

  • -

  • 全新原廠原裝正品，只做原裝，可開增票

  • STP28N60DM2
    STP28N60DM2

    STP28N60DM2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220AB

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • STP28N60DM2
    STP28N60DM2

    STP28N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STP28N60DM2
    STP28N60DM2

    STP28N60DM2

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • STM

  • TO-220-3

  • 20+

  • -

  • 原裝現貨，假一賠百,支持實單

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
STP28N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 21A
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh? DM2
  • 包裝
  • 管件
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 21A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 160 毫歐 @ 10.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 34nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1500pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 170W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3
  • 供應商器件封裝
  • TO-220
  • 標準包裝
  • 50
STP28N60DM2 技術參數
  • STP27N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:163 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1320pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP27N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:27A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP270N8F7 功能描述:MOSFET N CH 80V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:193nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 50V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP270N04 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7400pF @ 25V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1,000 STP26NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:175 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1817pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP28X0.2MRD STP28X0.2MVL STP28X0.2MYL STP28X0.5MBL STP28X0.5MBL-Q STP28X0.5MBU STP28X0.5MBU-Q STP28X0.5MGR STP28X0.5MGR-Q STP28X0.5MIG STP28X0.5MIG-Q STP28X0.5MOR STP28X0.5MOR-Q STP28X0.5MRD STP28X0.5MRD-Q STP28X0.5MVL STP28X0.5MVL-Q STP28X0.5MYL
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