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STS5DP3LLH6

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  • STS5DP3LLH6
    STS5DP3LLH6

    STS5DP3LLH6

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOP8

  • 2021+

  • -
  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • STS5DP3LLH6
    STS5DP3LLH6

    STS5DP3LLH6

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生/曹先生

    電話:137602720171852080514813487865852

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 44807

  • STMicroelectronics

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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  • 1
STS5DP3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STS5DP3LLH6 技術參數
  • STS5DNF60L 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1030pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS5DNF20V 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 2.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):460pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4NF100 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):41nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):870pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DPFS30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DPF30L 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1350pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS6PF30L STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6 STS7PF30L STS8C5H30L STS8DN3LLH5 STS8DN6LF6AG STS8DNF3LL STS8DNH3LL STS8N6LF6AG STS9D8NH3LL STS9NF30L STS9NF3LL STS9NH3LL STS9P2UH7 STS9P3LLH6
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