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STW12NK60Z

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STW12NK60Z
    STW12NK60Z

    STW12NK60Z

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • STW12NK60Z
    STW12NK60Z

    STW12NK60Z

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 23533

  • ST/意法

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • STW12NK60Z
    STW12NK60Z

    STW12NK60Z

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 7113

  • STMicroelectronics

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • STW12NK60Z
    STW12NK60Z

    STW12NK60Z

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 3526

  • ST

  • TO-247-3

  • 14+

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存,400-800-03...

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
STW12NK60Z PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-channel 650 V 0.53 ohm 10A
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STW12NK60Z 技術參數
  • STW12N150K5 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 7A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.9 歐姆 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1360pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW12N120K5 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):690 毫歐 @ 6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):44.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1370pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW120NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):110A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):233nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW11NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW11NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 9.2A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):9.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):980 毫歐 @ 4.6A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3000pF @ 25V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STW13NK100Z STW13NK50Z STW13NK60Z STW13NK80Z STW13NM50N STW13NM60N STW14NK50Z STW14NK60Z STW14NM50 STW14NM50FD STW14NM65N STW150NF55 STW15N80K5 STW15N95K5 STW15NB50 STW15NK50Z STW15NK90Z STW15NM60N
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