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STW56N65DM2

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型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

STW56N65DM2
現(xiàn)貨
上海航霆電子技術(shù)有限公司
上海航霆電子技術(shù)有限公司
聯(lián)系人：林生18701789587
電話：0755-8374259418701789587
地址：上海徐匯區(qū)漕溪路222號(hào)航天大廈16層
19130
STM
SOP
19+/20+
-
全新原廠原裝正品，只做原裝，可開增票

STW56N65DM2
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場(chǎng)D座16層18B
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
6004
ST/意法半導(dǎo)體
TO-247-3
22+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STW56N65DM2
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
北京天陽(yáng)誠(chéng)業(yè)科貿(mào)有限公司
聯(lián)系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓金泰富地大廈503
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STW56N65DM2
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯(lián)系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區(qū)安寧莊西路9號(hào)院29號(hào)樓5層505室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
1
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
集成電路（IC）

STW56N65DM2
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
廣東濟(jì)德精密電子有限公司
聯(lián)系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓
150
STMICROELECTRONICS
NA
25+
-
現(xiàn)貨！就到京北通宇商城

STW56N65DM2
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
8650000
ST
TO-247
最新批號(hào)
-
一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

STW56N65DM2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STW56N65DM2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會(huì)軒3607
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
TO-247
18+
-
MOSFET N-CH 650V 48A

STW56N65DM2
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室
2400
ST
N/A ㊣品
N/A 原裝進(jìn)口
-
渠道可追溯現(xiàn)貨庫(kù)存LY

STW56N65DM2
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯(lián)系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331
資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照
19130
STM
TO-247-3
19+/20+
-
原裝現(xiàn)貨，假一賠百,支持實(shí)單

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 650V 48A
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? DM2
包裝
管件
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）
48A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
65 毫歐 @ 24A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）
88nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）
4100pF @ 100V
功率 - 最大值
360W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-247
標(biāo)準(zhǔn)包裝
30

STW56N65DM2 技術(shù)參數(shù)

STW56N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-4 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 52A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:52A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:55 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:91nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:3750pF @ 100V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW56N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 50A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:4100pF @ 100V 功率 - 最大值:360W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW5630/JDR18BDR 功能描述:LED Lighting COBs, Engines, Modules - 制造商:seoul semiconductor inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):過期類型:- 顏色:- CCT（K）:- 波長(zhǎng):- 配置:- 通量 @ 電流/溫度 -測(cè)試:- 電流 - 測(cè)試:- 溫度 - 測(cè)試:- 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 不同測(cè)試電流時(shí)的流明/瓦:- 電流 - 最大值:- CRI（高顯色指數(shù)）:- 視角:- 特性:- 大小/尺寸:- 高度:- 發(fā)光面（LES）:- 透鏡類型:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STW55NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 51A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:51A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 25.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:190nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:5800pF @ 50V 功率 - 最大值:350W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5 STW62NM60N STW65N65DM2AG STW65N80K5 STW68N60M6 STW69N65M5 STW69N65M5-4 STW6N120K3 STW6N90K5 STW6N95K5 STW70N10F4 STW70N60DM2 STW70N60M2 STW70N60M2-4 STW70N65M2 STW72N60DM2AG

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