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STW6N100E

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操作

STW6N100E
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
TO247
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

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STW6N100E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STW6N100E 技術參數

STW69N65M5-4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-4 供應商器件封裝:TO-247-4L 標準包裝:30 STW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:58A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 29A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6420pF @ 100V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW68N60M6 功能描述:N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 零件狀態:在售標準包裝:30 STW65N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 46A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:46A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 23A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:92nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3230pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW65N65DM2AG 功能描述:MOSFET N-CH 650V 60A 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，MDmesh? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:50 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 100V 功率 - 最大值:446W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STW75N20 STW75NF20 STW75NF30 STW77N65M5 STW78N65M5 STW7N105K5 STW7N90K5 STW7N95K3 STW7NK90Z STW80H150C STW80NE06-10 STW80NF06 STW80NF55-08 STW81100AT-1 STW81100ATR-1 STW81101AT STW81101ATR STW81102AT