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STWA70N60DM2

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STWA70N60DM2
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
68246
STMicroelectronics
TO-247-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STWA70N60DM2
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
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50
STM
ORIGONAL
16+
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您是不是要找： STWA88N65M5 STWBC STWBC-EPTR STWBC-MC STWBC-MCTR STWBCTR STWBC-WA STWBC-WATR STWD100NPWY3F

STWA70N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STWA70N60DM2 技術參數

STWA57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STWA48N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3060pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 長引線標準包裝:30 STWA45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:78 毫歐 @ 17.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247 標準包裝:30 STWA40N95K5 功能描述:N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 19A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:93nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3300pF @ 100V 功率 - 最大值:450W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 STWA40N95DK5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DK5 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:38A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:100nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3480pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:450W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 19A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-247 長引線封裝/外殼:TO-247-3 標準包裝:30 STWD100NWWY3F STWD100NYWY3F STWD100PYW83F STWD100YNPWY3F STWD100YNWWY3F STWD100YNYWY3F STWH13009 STWLC03JR STWLC04JR STWLC33JR STX0560 STX112 STX112-AP STX117-AP STX13003 STX13003-AP STX13003G STX13003G-AP