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S29GL256N

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  • S29GL256N10TFIS1
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  • 深圳市安博威科技有限公司
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  • 北京力通科信電子有限公司
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S29GL256N 技術參數
  • S29GL128S90TFI020 功能描述:閃存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S29GL128S90TFI010 功能描述:閃存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S29GL128S90FHI020 功能描述:閃存 128MB, 3V, 90NS Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S29GL128S90FHI010 功能描述:IC FLASH 128MBIT 90NS 64BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-S 包裝:托盤 零件狀態:在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:128Mb (8M x 16) 寫周期時間 - 字,頁:60ns 訪問時間:90ns 存儲器接口:并聯 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:64-LBGA 供應商器件封裝:64 球加強型 BGA(13x11) 標準包裝:180 S29GL128S90DHI020 功能描述:閃存 128Mb 3V 90ns Parallel NOR 閃存 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S29GL256N90FFAR22 S29GL256N90TFAR10 S29GL256N90TFAR13 S29GL256P10FAI022 S29GL256P10FFI010 S29GL256P10FFI012 S29GL256P10FFI020 S29GL256P10FFI022 S29GL256P10FFI023 S29GL256P10FFIS10 S29GL256P10FFIS12 S29GL256P10FFIS13 S29GL256P10FFIS20 S29GL256P10FFIS40 S29GL256P10TAI010 S29GL256P10TFI010 S29GL256P10TFI013 S29GL256P10TFI020
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