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STB60NF06LT4

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功能描述
MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STB60NF06LT4 技術參數

STB60N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 毫歐 @ 32A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB60100CTR 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:- 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 30A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1mA @ 100V 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5NK52ZD-1 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:520V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB5NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:535pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N80K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.75 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB6N80K5 STB6NK60Z-1 STB6NK60ZT4 STB6NK90ZT4 STB6NM60N STB70N10F4 STB70NF03L-1 STB70NF03LT4 STB70NF3LLT4 STB70NFS03LT4 STB70NH03LT4 STB75N20 STB75NF20 STB75NF75LT4 STB75NF75T4 STB75NH02LT4 STB76NF75 STB76NF80