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STB85NF55

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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-channel 55 V, 0.0062 Ω, 80 A, TO-220, D2PAK, I2PAK STripFET? II Power MOSFET
STB85NF55 技術(shù)參數(shù)
  • STB85NF3LLT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 85A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2210pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB80PF55T4 功能描述:MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:258nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB80NF55L-08-1 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4350pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STB80NF55L-06T4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:136nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB80NF55-08T4 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:155nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STB95N4F3 STB9NK50ZT4 STB9NK60ZDT4 STB9NK60ZT4 STB9NK70Z-1 STB9NK70ZT4 STB9NK80Z STB9NK90Z STBB1-APUR STBB1PUR STBB2J29-R STBB2J30-R STBB2JAD-R STBB3JCCR STBB3JR STBC02AJR STBC02BJR STBC02JR
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