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STP36NE06

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STP36NE06 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET RO 511-STP36NF06
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STP36NE06 技術參數
  • STP36N60M6 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M6 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):44.3nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1960pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):208W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):99 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 STP36N55M5 功能描述:MOSFET N CH 550V 33A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):550V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):33A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):80 毫歐 @ 16.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2670pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP360N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.8 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):340nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):17930pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP35NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1550pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP35N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):98 毫歐 @ 13.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):83nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3750pF @ 100V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3N80K5 STP3NB100 STP3NK100Z STP3NK50Z STP3NK60Z STP3NK60ZFP STP3NK80Z STP3NK90Z STP3NK90ZFP STP400N4F6 STP40N20 STP40N60M2 STP40N65M2 STP40NF03L STP40NF10 STP40NF10L STP40NF12 STP40NF20
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