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參數資料
型號: SB330
元件分類: 整流器
英文描述: 3 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
封裝: ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數: 2/2頁
文件大小: 167K
代理商: SB330
SB320 - SB3150
0.1
I F
,instantaneous
f
orw
ard
cur
rent
(A)
1
VF, forward voltage (V)
0.2
0.7
0.9
TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
50
Lead temperature (°C)
I F(A
V)
,a
v
er
age
f
orw
ard
Current
(A)
100
MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
120
30
0
10
1
I FSM
,peak
f
orw
ard
surge
current
(A)
1000
10
0.1
Cj,
junction
capacitance
(pF)
Percent of rated peak reverse voltage (%)
IR
,Re
v
erse
current
(mA)
0
100
0.001
Rating And Charasterictic Curves
100
60
0.3
0.8
TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING
CURVE
20
40
60
80
120
Number of cycles at 60 Hz
100
TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
10
90
VR, reverse voltage (V)
10
140
Jan - 08
1
0.1
t, Pulse duration (sec)
T
ransient
ther
mal
impedance
(°C/W)
600
60
40
TYPICAL TRANSIENT THERMAL
CHARACTERISTIC
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
0.6
0.5
0.4
150
4
40
0.4
0
100
4
0
2
25
75
150
175
50
125
3
1
SB350-SB3150
SB320-SB340
1.0
SB350-SB360
SB3150
SB390-SB3100
SB320-SB340
Tj = 25 °C
Pulse Width = 300s
1% Duty Cycle
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
20
2
40
4
60
6
400
20
200
SB320-SB340
SB350-SB360
SB390-SB3150
0.01
1
Tj = 125 °C
Tj = 75 °C
Tj = 25 °C
SB320-SB340
SB350-SB3150
相關PDF資料
PDF描述
SBAV99LT3 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
SMBG16CA/5B 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG24/51 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG40/5B 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG43CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
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