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參數(shù)資料
型號: SBAV99LT3
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率)
英文描述: 0.215 A, 70 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝: PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 51K
代理商: SBAV99LT3
BAV99LT1
http://onsemi.com
3
CURVES APPLICABLE TO EACH DIODE
I R
,REVERSE
CURRENT
(A)μ
100
0.2
0.4
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.6
0.8
1.0
1.2
10
1.0
0.1
TA = 85°C
10
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
10
20
30
40
50
0.68
0
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.64
0.60
0.56
0.52
C D
,DIODE
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
24
6
8
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
TA = 25°C
TA = 40°C
TA = 150°C
TA = 125°C
TA = 85°C
TA = 55°C
TA = 25°C
Figure 1. Forward Voltage
Figure 2. Leakage Current
Figure 3. Capacitance
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SMBG43CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG48CA/52 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
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參數(shù)描述
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SBAV99RWT1G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SS SWCH DIO 70V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
SBAV99WT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
SBAV99WT1G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關(guān) SS DUAL DIODE TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
SBAW56LT1G 功能描述:DIODE SWITCH DUAL CA 70V SOT23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管,整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)(每個二極管):5A 電壓 - (Vr)(最大):600V 反向恢復(fù)時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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