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參數資料
| 型號： | SBG1035 |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | SBG1035 |
SBG1030 thru SBG1045
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60HZ, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
2
D PAK
2
All Dimensions in millimeter
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
9.65
10.69
15.88
14.60
8.25
9.25
1.67
-----
0.51
1.14
2.29
2.79
2.29
2.79
1.14
2.92
K
J
I
1.40
2.03
0.64
0.30
4.37
4.83
D
PAK
2
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
1
2
K
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 30 to 45 Volts
FORWARD CURRENT - 10 Amperes
SBG1030
30
21
30
10
250
0.60
-55 to +125
-55 to +150
3.0
SBG1035
35
24.5
35
SBG1040
40
28
40
SBG1045
45
31.5
45
280
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
Maximum Average Forward
Rectified Current (See Fig.1)
@TC
=95 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Forward Voltage
at 5A DC (Note 1)
TJ
Operating Temperature Range
TSTG
Storage Temperature Range
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
CJ
Typical Junction
Capacitance (Note 2)
IR
@TJ =100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
C
C/W
pF
mA
V
A
V
CHARACTERISTICS
SYMBOL
UNIT
1.0
50
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 4, Sep-2009, KTHB01
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG1030 | 10 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1640CT-13 | 16 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1630CT-13 | 16 A, 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1645CT-13 | 16 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG1635CT-13 | 16 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SBG1035CT | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:10A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBG1035CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 35V 10A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG1035CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 10A 35V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SBG1040 | 制造商:SIRECTIFIER 制造商全稱:Sirectifier Semiconductors 功能描述:Low VF Schottky Barrier Rectifiers |
| SBG1040CT | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 40V 10A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
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