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參數資料
| 型號： | SBG3050CT |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | SBG3050CT |
DS30025 Rev. C-2
1 of 2
SBG3030CT - SBG3060CT
SBG3030CT - SBG3060CT
30A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Case: D2PAK Molded Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,
Method 208
Polarity: See Diagram
Marking: Type Number
Weight: 1.7 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mechanical Data
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
A
123
4
PIN 1
PIN 3
PIN2&4
D2PAK
Dim
Min
Max
A
9.65
10.69
B
14.60
15.88
C
0.51
1.14
D
2.29
2.79
E
4.37
4.83
G
1.14
1.40
H
1.14
1.40
J
8.25
9.25
K
0.30
0.64
L
2.03
2.92
M
2.29
2.79
All Dimensions in mm
Characteristic
Symbol
SBG
3030CT
SBG
3040CT
SBG
3045CT
SBG
3050CT
SBG
3060CT
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
30
40
45
50
60
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
21
28
32
35
42
V
Average Rectified Output Current
@ TC = 100
°C
IO
30
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC Method)
IFSM
250
A
Forward Voltage, per Element
@ IF = 15A, TC = 25
°C
VFM
0.55
0.70
V
Peak Reverse Current
@ TC = 25
°C
at Rated DC Blocking Voltage
@ TC = 100
°C
IRM
1.0
75
mA
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
420
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)
RθJC
1.5
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +150
°C
Notes:
1. Thermal resistance: junction to case mounted on heat sink.
2. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Capability
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 250A Peak
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications
Plastic Material: UL Flammability
Classification Rating 94V-0
POWER SEMICONDUCTOR
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG3060CT | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBH1020TL | 10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBH2045TL | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBL1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SBL10C | 700 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SBG3050CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 50V 30A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG3050CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 50V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SBG3060CT | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBG3060CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 60V 30A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG3060CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 60V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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