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參數資料
型號: SC220R015A5P
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 15 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: WAFER
文件頁數: 1/6頁
文件大小: 163K
代理商: SC220R015A5P
SC220.....5. Series
Bulletin I0490J rev. A 03/07
5. DIMENSIONS AND TOLERANCES
SC220
R015x5x
125
15
5.59 ± 0.01
5.44 ± 0.01
0.5 ± 0.1
(220 ± 0.4)
(214 ± 0.4)
20 ± 4
SC220
S020x5x
150
20
n.a. contact factory
SC220
S030x5x
150
30
5.59 ± 0.01
5.44 ± 0.01
0.5 ± 0.1
(220 ± 0.4)
(214 ± 0.4)
20 ± 4
SC220
S045x5x
150
45
5.59 ± 0.01
5.44 ± 0.01
0.5 ± 0.1
(220 ± 0.4)
(214 ± 0.4)
20 ± 44
SC220
S060x5x
150
60
n.a. contact factory
SC220
H045x5x
175
45
5.59 ± 0.01
5.44 ± 0.01
0.5 ± 0.1
(220 ± 0.4)
(214 ± 0.4)
20 ± 4
SC220
H100x5x
175
100
5.59 ± 0.01
5.44 ± 0.01
0.5 ± 0.1
(220 ± 0.4)
(214 ± 0.4)
20 ± 4
SC220
H150x5x
175
150
n.a. contact factory
Device
TJ Max.
VR
A
B
C
D
diameter
#
(°C)
(V)
NOTES:
1. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN
MILLIMETERS (MILS).
2. CONTROLLING DIMENSION: (MILS).
3. LETTER DESIGNATION:
A = Anode (Top Metal)
C = Cathode (Back Metal)
D = Reject Ink Dot (only on non-conforming dies)
4. SAWING:
Recommended Blade
SEMITEC S1025 QS00 Blade
Sawing Street
0.05 +0, - 0.005
(2 +0, - 0.2)
125 (492)
d
a
b
Wafer flat alligned with
side b of the die
40 (157)
A
c
D
0.35 ± 0.01
(14 ± 0.4)
C
SCHOTTKY DIE 220 x 220 mils
NOT TO SCALE
www.vishay.com
1
Document Number: 93876
相關PDF資料
PDF描述
SC220S030S5P 30 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
SHF1108SMSS 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
SS3P4LHM3/86A 3 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-277A
ST1000A11CTX TVS DIODE
ST1000A20C TVS DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
SC220STRT 制造商:Semtech Corporation 功能描述:Conv DC-DC Single Step Down 2.7V to 5.5V 8-Pin SOIC T/R 制造商:Semtech Corporation 功能描述:SC220 Series 2.7 - 5.5 V 20 MHz 650 mA Step-Down Regulator - SOIC-8
SC221 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
SC-2210 制造商:Nidec Copal 功能描述:SWIT ROTARY 10 SLOT SHAFT PC PINS 0.1A 5VDC - Bulk
SC22101 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORIES
SC22101CN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORIES
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