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參數資料
型號: SD103CW
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 二極管(射頻、小信號、開關、功率)
英文描述: 0.35 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: SOD-123, 2 PIN
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 509K
代理商: SD103CW
SD103AW
THRU
SD103CW
400mW Small Signal
Schottky Diode
20 to 40 Volts
SOD-123
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.140
.152
3.55
3.85
B
.100
.112
2.55
2.85
C
.055
.071
1.40
1.80
D
---
.053
---
1.35
E
.012
.031
0.30
0.78
G
.006
---
0.15
---
H
---
.010
---
0.25
J
---
.006
---
0.15
Features
Guard Ring Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Power Loss For High Efficiency
Device Marking Code:
SD103AW: S4
SD103BW: S5
SD103CW: S6
Maximum Ratings
Operating Temperature: -55
℃ to +125℃
Storage Temperature: -55
℃ to +150℃
Maximum Thermal Resistance; 300
℃/W Junction to Ambient
MCC
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
SD103AW
40V
28V
40V
SD103BW
30V
21V
30V
SD103CW
20V
14V
20V
Electrical Characteristics @ 25Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
350mA
Note 1
Peak Forward Surge
Current
IFSM
1.5A
t
≦1.0s
Maximum Power
Dissipation
PD
400mW
Note 1
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
0.37V
0.60V
IFM = 20mA
IFM = 200mA
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0A
VBR = 30V (AW)
VBR = 20V (BW)
VBR = 10V (CW)
Typical Junction
Capacitance
Cj
50pF
Measured at
1.0MHz, VR=0V
Typical Reverse
Recovery Time
trr
10ns
IF = IR =200mA
Irr=0.1×IR RL=100
Note: 1.Valid provided that electrodes are kept at ambient
Temperature
2.Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
omponents
20736 Marilla Street Chatsworth
!"#
$% !"#
MCC
www.mccsemi.com
A
B
E
C
J
D
H
G
0.036”
0.093
0.048”
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
Revision: 4
2005/03/07
TM
Micro Commercial Components
相關PDF資料
PDF描述
SD103B 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103A-D8 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103C-D7 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103C-D8 SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
SD103A 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
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參數描述
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