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參數資料
| 型號： | SD1485 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV BAND III APPLICATIONS |
| 中文描述： | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | SD1485 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD14950-03 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
| SD14950-3 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
| SD1495 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 850-890 MHz CLASS C BASE STATIONS |
| SD1496 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 860-900 MHz CLASS C, BASE STATIONS |
| SD1496-3 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SD1487 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN 12.5V 30MHz RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| SD1488 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN 12.5V 470MHz RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| SD1489 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| SD14-8R8 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Inductor Power Shielded Wirewound 8.8uH 20% 100KHz Ferrite 1.14A 191.3mOhm DCR 2020 T/R |
| SD14-8R8-R | 功能描述:固定電感器 8.8uH 1.25A 0.1913ohms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
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