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參數資料
| 型號： | SD1489 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
| 中文描述： | 射頻 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | SD1489 |
TV/LINEAR APPLICATIONS
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
.438 x .450 2LFL (M173)
epoxy sealed
ORDER CODE
SD1489
.
470 - 860 MHz
.
28 VOLTS
.
CLASS AB PUSH PULL
.
DESIGNED FOR HIGH POWER LINEAR
OPERATION
.
HIGH SATURATED POWER CAPABILITY
.
GOLD METALLIZATION
.
DIFFUSED EMITTER BALLAST
RESISTORS
.
COMMON EMITTER CONFIGURATION
.
INTERNAL INPUT MATCHING
.
P
OUT
=
50 W MIN. WITH 6.5 dB GAIN
DESCRIPTION
The SD1489 is a gold metallized epitaxial silicon
NPN planar transistor using diffused emitter ballast
resistors for high linearity Class AB operation in
UHF and Band IV, V television transmitters and
transposers.
PIN CONNECTION
BRANDING
SD1489
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
=
25
°
C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
DISS
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
45
30
3.0
V
V
V
Device Current
Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
8
A
W
°
C
°
C
175
+200
65 to +150
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance
1.0
°
C/W
SD1489
1. Collector
2. Base
3. Emitter
THERMAL DATA
November 1992
1/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SD1492 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS TV/LINEAR APPLICATIONS |
| SD150R16MSV | STANDARD RECOVERY DIODES |
| SD150R16MV | STANDARD RECOVERY DIODES |
| SD150R16PBC | STANDARD RECOVERY DIODES |
| SD150R16PBV | STANDARD RECOVERY DIODES |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SD14-8R8 | 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:Inductor Power Shielded Wirewound 8.8uH 20% 100KHz Ferrite 1.14A 191.3mOhm DCR 2020 T/R |
| SD14-8R8-R | 功能描述:固定電感器 8.8uH 1.25A 0.1913ohms RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm |
| SD1490 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| SD1490-1 | 制造商:ASI 制造商全稱:ASI 功能描述:NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| SD1492 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發射極最大電壓 VCEO:25 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
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