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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SDP8436-001 |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 452K |
| 代理商： | SDP8436-001 |
Silicon Phototransistor
SDP8436
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNITS
TEST CONDITIONS
MIN
PARAMETER
SYMBOL
TYP
MAX
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(25C Free-Air Temperature unless otherwise noted)
Collector-Emitter Voltage
30 V
Emitter-Collector Voltage
5 V
Power Dissipation
100 mW []
Operating Temperature Range
-40C to 85C
Storage Temperature Range
-40C to 85C
Soldering Temperature (5 sec)
240C
Notes
1. Derate linearly from 25C free-air temperature at the rate of
0.78 mW/C.
SCHEMATIC
Honeywell reserves the right to make
changes in order to improve design and
supply the best products possible.
h
129
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SDP8436-003 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| SDP8436-004 | 功能描述:光電晶體管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| SDP8436-2TR | 功能描述:光電晶體管 INFRARED SENSORS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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