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參數資料
| 型號： | SFH415-U |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters |
| 中文描述： | 4.95 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | SFH415-U |
Semiconductor Group
1
1997-11-01
Wesentliche Merkmale
G
GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
G
Gute Linearitt (
I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strmen
G
Sehr hoher Wirkungsgrad
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Hohe Impulsbelastbarkeit
G
SFH 415: Gehusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
G
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgerten, Videorecordern,
Lichtdimmern
G
Gertefernsteuerungen
Features
G
GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
G
Good linearity (
I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
G
High efficiency
G
High reliability
G
High pulse handling capability
G
SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
G
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
G
Remote control of various equipment
GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
SFH 415
SFH 416
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
7.8
7.5
9.0
8.2
29
27
1.8
1.2
4.8
4.2
0
0
0
0
2
s
5.9
5.5
0.6
0.4
Area not flat
Chip position
Cathode
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
5.9
5.5
0.6
0.4
2
s
5.7
5.5
6.9
6.1
4.0
3.4
29.5
27.5
1.8
1.2
0
0
Area not flat
0.6
0.4
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
Chip position
GEX06630
Approx. weight 0.4 g
f
f
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SFH4505 | Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im SMR-Gehuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in SMR Package |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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