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參數資料
| 型號： | SFH464 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm |
| 中文描述： | 發動器，Lumineszenzdiode 660納米發光二極管的GaAIAs 660納米 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 40K |
| 代理商： | SFH464 |
Semiconductor Group
1
1998-07-15
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 464 E7800
Q62702-Q1745
18 A3 DIN 41876 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-
Gieharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: Nase am Gehuseboden
18 A3 DIN 870 (TO -18), clear epoxy resin, lead
spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), anode marking: projection at
package bottom
Wesentliche Merkmale
G
Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-
Anteil
G
Kathode galvanisch mit dem
Gehuseboden verbunden
G
Sehr hoher Wirkungsgrad
G
Hohe Zuverlssigkeit
G
Kurze Schaltzeiten
G
Gehusegleich mit BP 103, LD 242
G
Anwendungsklassen nach DIN 40040 GQG
G
Lochblendenvermessenes Bauteil
(E 7800)
Anwendungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 5 MHz
G
LWL
Features
G
Radiation without IR in the visible red range
G
Cathode is electrically connected to the case
G
Very high efficiency
G
High reliability
G
Short switching time
G
Same package as BP 103, LD 242
G
DIN humidity category in acc. with DIN
40040 GQG
G
Component subjected to aperture
measurement (E 7800)
Applications
G
Photointerrupters
G
Fiber optic transmission
GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm)
GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm)
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.5
5.2
GET06625
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
0.45
2
s
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
09
11
11
09
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
f
SFH 464
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PDF描述 |
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