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參數資料
| 型號： | SFH482-ME7800 |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | 4.7 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數： | 5/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 355K |
| 代理商： | SFH482-ME7800 |
SFH 480, SFH 481, SFH 482
2008-11-25
5
Gruppierung der Strahlstrke I
e in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity I
e in Axial Direction
at a solid angle of
Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
480-2
SFH
480-3
SFH
481
SFH
481-1
SFH
481-2
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
> 40
–
> 63
–
> 10
–
10
20
>16
–
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 1 A, tp = 100 μs
Ie typ.
540
630
220
130
220
mW/sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH
482
SFH
482-1
SFH
482-2
SFH
482-3
SFH
482-M
E 7800
1)
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
> 3.15
–
3.15
6.3
5
10
> 8
–
1.6
3.2
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 1 A, tp = 100 μs
Ie typ.
–
40
65
80
–
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da
β bei der
Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberflche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken
gro
βer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Me
βverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser
verwertbare Gr
βe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 2.0 mm; distance of aperture to case back side: 5.4 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SFH4850E7800-Q | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| SFH4850E7800-P | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| SFH487501 | 809 nm, LASER DIODE |
| SFH501-1 | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| SFH5110-30 | LOGIC OUTPUT PHOTO DETECTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SFH483 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| SFH483E7800 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter |
| SFH483L/ME7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter, 880 nm, TO-18, 23deg,SFH483 |
| SFH483L/M-E7800 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4755_IR Emitter |
| SFH483L/ME78000 | 制造商:OSRAM 功能描述: |
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