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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SFH4850E7800-P |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | 4.2 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 850 nm |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | SFH4850E7800-P |
2009-05-14
4
SFH 4850 E7800
Strahlstrke I
e in Achsrichtung
1)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity I
e in Axial Direction
at a solid angle of
Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
SFH 4850 E7800 -P
SFH 4850 E7800 -Q
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
4
8
6.3
12.5
mW/sr
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F = 1 A, tp = 100 μs
Ie typ
45
55
mW/sr
1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass
bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über Zusatzoptiken
strend (z.B. Lichtschranken groer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für
die Anwender eine besser verwertbare Gre. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag
E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
Only one group in one packing unit, (variation lower 2:1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation
in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant
intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair
the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the
application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring
procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted
by ’E 7800’ added to the type designation.
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