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參數(shù)資料
型號: SFH485P
廠商: SIEMENS A G
元件分類: 紅外LED
英文描述: GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
中文描述: 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 880 nm
封裝: 5-MM, LEAD SPACING 2.54 MM
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: SFH485P
Semiconductor Group
1
1998-06-26
Wesentliche Merkmale
G
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
G
Enge Toleranz: Chipoberflche/
Bauteiloberkante
G
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfnger
G
Sehr plane Oberflche
G
Gehusegleich mit SFH 217
Anwendungen
G
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
G
LWL
Features
G
GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
G
Small tolerance: Chip surface to case
surface
G
Good spectral match to silicon
photodetectors
G
Plane surface
G
Same package as SFH 217
Applications
G
Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
G
Fibre optic transmission
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)
SFH 485 P
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehuse
Package
SFH 485 P
Q62703-Q516
5-mm-LED-Gehuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschlu
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (
1
/
10
’’), anode marking: short lead.
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
2
s
3.85
3.35
5.0
4.2
1.0
0.5
29
27
1.8
1.2
0
0
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06306
Cathode
f
相關PDF資料
PDF描述
SFH485 GaAlAs INFRARED EMITTER
SFH485-1 GaAlAs INFRARED EMITTER
SFH485-2 GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters 880 nm
SFH485-3 GaAlAs INFRARED EMITTER
SFH4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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