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參數資料
| 型號： | SFS9926 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Dual N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 雙N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 1043K |
| 代理商： | SFS9926 |
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
Value
Units
V
DSS
Drain to Source Voltage
20
V
I
D
Continuous Drain Current(@T
A
= 25
°C)
6.5
A
I
DM
Drain Current Pulsed
(Note 1)
30
±
12
A
V
GS
Gate to Source Voltage
V
P
D
Total Power Dissipation Single Operation (T
A
=25
°C
)
2.0
W
Total Power Dissipation Single Operation (T
A
=70
°C
)
1.28
W
T
STG,
T
J
Operating Junction Temperature & Storage Temperature
- 55 ~ 150
°C
T
L
Maximum Lead Temperature for soldering purpose,
1/8 from Case for 5 seconds.
300
°C
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Typ.
Units
Min.
Max.
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 4)
-
-
62.5
°C/W
S FS 9926
December, 2002. Rev. 0.
1/6
Features
■
Low R
DS(on)
(0.030
)@V
GS
=4.5V
Low R
DS(on)
(0.043
)@V
GS
=2.5V
■
Gate Charge
(Typical 14nC)
■
Improved dv/dt Capability
■
Maximum Junction Temperature Range
(150°C)
■
Available in Tape and Reel
General Description
This Power MOSFET is produced using SemiWell’s advanced
planar stripe, DMOS technology. This latest technology has been
especially designed to minimize on-state resistance, have a low
gate charge with superior switching performance, and rugged
avalanche characteristics. This Power MOSFET is well suited
for Battery protection circuit, Load switch and other power
management application.
S emiWell
Semiconductor
Copyright@SemiWell Semiconductor Co., Ltd., All rights reserved.
Dual N-Channel MOSFET
8-SOIC
Symbol
G
1
S
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
D
1
D
1
D
2
D
2
S
1
G
1
G
2
S
2
1
2
3
4
5
6
7
8
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