型號: | SGH80N60 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Ultra-Fast IGBT |
中文描述: | 超快速IGBT |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大小: | 557K |
代理商: | SGH80N60 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SGH80N60UF | CONNECTOR ACCESSORY |
SGL10N60RUFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
SGL15N60RUFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
SGL160N60UFD | 240 x 320 pixel format (Portrait Mode), CFL Backlight available with power harness |
SGL160N60UF | CONNECTOR ACCESSORY |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SGH80N60UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultra-Fast IGBT |
SGH80N60UF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT |
SGH80N60UFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Ultrafast IGBT |
SGH80N60UFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH/100V/0.58/28A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGH80N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |