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參數(shù)資料
型號: SGI25N40
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: N-Channel IGBT(N溝道絕緣柵雙極晶體管(IGBT))
中文描述: 25 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: I2PAK-3
文件頁數(shù): 1/4頁
文件大小: 104K
代理商: SGI25N40
Symbol
V
CES
V
GE
I
C
I
CM
P
D
T
J
T
STG
T
L
FEATURES
* High Input Impedance
* High Peak Current Capability(170A)
* Easy Drive by Gate Voltage
APPLICATIONS
* STROBE FLASH
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Unit
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Rating
400
±
25
25
170
75
-55 ~ 150
300
Characteristics
Collector-Emitter Voltage
Gate - Emitter Voltage
Continuous Collector Current
Pulsed Collector Current(1mS)
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. For Soldering
Purposes,1/8
from case for 5 seconds
T
C
= 25
°
C
T
C
= 25
°
C
I
2
- PAK
G
C
E
SGI25N40
N-CHANNEL IGBT
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev.B
相關PDF資料
PDF描述
SH-A3681-FREQ Frequency Range: 60.0 MHz to 200.0 MHz
SH-A3689-FREQ Frequency Range: 60.0 MHz to 200.0 MHz
SH-A368B-FREQ Frequency Range: 60.0 MHz to 200.0 MHz
SH-A368X Frequency Range: 60.0 MHz to 200.0 MHz
SHA2604 ULTRA FAST RECOVERY COMMON ANODE CENTERTAP RECIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SGI65-GRL 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述:
SGI65-W 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述:
SGI6N60UFTU 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SGI80-GRL 制造商:Leviton Manufacturing Co 功能描述:
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