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參數資料
| 型號： | SGL1-90 |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA |
| 封裝： | PLASTIC, MINIMELF-2 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 139K |
| 代理商： | SGL1-90 |
Surface mount diode
Schottky barrier rectifiers
diodes
SGL 1-20...SGL 1-100
Forward Current: 1 A
Reverse Voltage: 20 to 100 V
Features
Mechanical Data
1)
2)
3)
4)
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Conditions
Values
Units
Characteristics
Symbol
Conditions
Values
Units
Dimensions in mm
SGL 1-20 ... SGL 1-100
1
08-03-2007 MAM
by SEMIKRON
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBD4004 | 40 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SDR1008UF | 100 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SSR1009DMU | 10 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-254AA |
| SDA676-11 | 2 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| SV-3SS | SILICON, STABISTOR DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SGL-23 | 制造商:Pma ag 功能描述:Bulk |
| SGL25N120RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGL25N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
| SGL25N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGL25N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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