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參數資料
| 型號： | SGL40N150DTU |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 中文描述： | 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 453K |
| 代理商： | SGL40N150DTU |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGL40N150D Rev. A1
IGBT
S
G
L40N150D
SGL40N150D
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
provides low conduction and switching losses.
The SGL40N150D is designed for induction heating
applications.
Features
High speed switching
Low saturation voltage : VCE(sat) = 3.7 V @ IC = 40A
High input impedance
Built-in fast recovery diode
Absolute Maximum Ratings T
C = 25°C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Description
SGL40N150D
Units
VCES
Collector-Emitter Voltage
1500
V
VGES
Gate-Emitter Voltage
± 25
V
IC
Collector Current
@ TC = 25°C40
A
Collector Current
@ TC = 100°C20
A
ICM (1)
Pulsed Collector Current
120
A
IF
Diode Continuous Forward Current
@ TC = 100°C10
A
IFM
Diode Maximum Forward Current
100
A
PD
Maximum Power Dissipation
@ TC = 25°C
200
W
Maximum Power Dissipation
@ TC = 100°C80
W
TJ
Operating Junction Temperature
-55 to +150
°C
Tstg
Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
TL
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
300
°C
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Units
RθJC(IGBT)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.625
°C/W
RθJC(DIODE)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.83
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
--
25
°C/W
Applications
Home appliances, induction heaters, IH JAR, and microwave ovens.
G
C
E
TO-264
G
C
E
G
C
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGMC20M0T0000 | 21 CONTACT(S), FEMALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN |
| SGMC26F0ESS0000 | 26 CONTACT(S), FEMALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN, CRIMP |
| SGMC34M0NSSP000 | 34 CONTACT(S), MALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN |
| SGMC44F0NSS0000 | 44 CONTACT(S), FEMALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN |
| SGMC44M0NSS0000 | 44 CONTACT(S), MALE, MULTIWAY RACK AND PANEL CONN |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SGL40N150TU | 功能描述:IGBT 晶體管 Dis IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGL41-20 | 制造商:GI 功能描述: 制造商:GSI Technology 功能描述: 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode 制造商:GS 功能描述:General Purpose 20V SMD (Surface Mount) Diode - free partial T/R at 500. 制造商:GENERAL_SEMI 功能描述: |
| SGL41-20/1 | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 1A 20V DO-213AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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| SGL41-20/96 | 功能描述:RECTIFIER SCHOTTKY 1A20V DO213AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標準包裝:100 系列:- 二極管類型:標準 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應商設備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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