型號: | SGL60N90D |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance) |
中文描述: | 60 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
封裝: | TO-264, 3 PIN |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大小: | 241K |
代理商: | SGL60N90D |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SGL60N90DG3 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |
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SGL60N90DG3M2TU | 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGL60N90DG3M3TU | 功能描述:IGBT 晶體管 900V 60a RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGL60N90DG3TU | 功能描述:IGBT 晶體管 900V/60A/wFRD TO-264 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |