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參數資料
| 型號： | SGP10G |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | SGP10G |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SGP30A | 3 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SGP15G | 1.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 |
| SHB601031E | 8 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, MO-078AA |
| SHD115524A | 45 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SHD116218 | 15 A, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SGP10N60 | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGP10N60 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT TO-220 |
| SGP10N60A | 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 10A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| SGP10N60A_09 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation |
| SGP10N60AXKSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 20A 92W TO220-3 |
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